Flash-muisti on eräs puolipäästötekniikan ja sähköisesti uudelleen ohjelmoitavan muistin muoto. Samaa käsitettä voidaan käyttää elektronisissa piireissä merkitsemään teknisesti täydellisiä ratkaisuja. Jokapäiväisessä elämässä tämä käsite on kiinteä laajalle puolijohdelaitteiden luokalle tietojen tallentamiseksi.
Tarpeellinen
USB-muistitikku, tietokone internetyhteydellä
Ohjeet
Vaihe 1
Tämän tekniikan toimintaperiaate perustuu muutoksiin ja rekisteröinteihin puolijohderakenteen sähkövarauksen eristetyillä alueilla. Tällaisen varauksen muutos, toisin sanoen sen tallentaminen ja poistaminen, tapahtuu lähteen ja sen suuremman potentiaalin portin välissä sijaitsevan sovelluksen avulla. Siten transistorin ja taskun välille syntyy riittävä sähkökentän voimakkuus ohuessa dielektrisessä kentässä. Näin tunnelivaikutus syntyy.
Vaihe 2
Muistiresurssit perustuvat varauksen muutokseen. Se liittyy joskus peruuttamattomien ilmiöiden kumulatiiviseen vaikutukseen sen rakenteessa. Siksi flash-solun merkintöjen määrä on rajoitettu. Tämä luku MLC: lle on yleensä 10 tuhatta yksikköä ja SLC: lle - jopa 100 tuhatta yksikköä.
Vaihe 3
Tietojen säilytysaika määräytyy sen mukaan, kuinka kauan maksut varastoidaan, minkä useimmat kotitaloustuotteiden valmistajat yleensä ilmoittavat. Se ei ylitä kymmenestä kahteenkymmeneen vuoteen. Vaikka valmistajat antavat takuun vain viiden ensimmäisen vuoden ajan. On kuitenkin huomattava, että MLC-laitteilla on lyhyempi datan säilytysaika kuin SLC-laitteilla.
Vaihe 4
Flash-muistin hierarkkinen rakenne selitetään seuraavalla tosiseikalla. Prosessit, kuten kirjoittaminen ja poistaminen sekä tietojen lukeminen flash-asemalta, tapahtuvat suurina erikokoisina lohkoina. Esimerkiksi poistolohko on suurempi kuin kirjoituslohko, joka puolestaan on pienempi kuin lukulohko. Tämä on flash-muistin erottuva piirre klassisesta. Tämän seurauksena kaikilla sen mikropiireillä on selvä hierarkkinen rakenne. Muisti on siten jaettu lohkoihin ja sektoreihin ja sivuihin.
Vaihe 5
Pyyhkimisen, lukemisen ja kirjoittamisen nopeus on erilainen. Esimerkiksi poistonopeus voi vaihdella yhdestä sataan millisekuntiin. Se riippuu poistettavien tietojen koosta. Tallennusnopeus on kymmeniä tai satoja mikrosekunteja. Lukunopeus on yleensä kymmeniä nanosekunteja.
Vaihe 6
Flash-muistin käytön ominaisuudet sanelevat sen ominaisuudet. On sallittua tuottaa ja myydä mikropiirejä, joissa on mikä tahansa määrä viallisia muistisoluja. Tämän prosenttiosuuden pienentämiseksi jokaiselle sivulle toimitetaan pienet lisälohkot.
Vaihe 7
Flash-muistin heikko kohta on se, että uudelleenkirjoitusjaksojen määrä yhdellä sivulla on rajoitettu. Tilanne pahenee entisestään, koska tiedostojärjestelmät kirjoittavat usein samaan muistipaikkaan.
